Supporto end-to-end per i transistor di potenza LDMOS, VDMOS e GaN1 di Ampleon

Ampleon_campaign_January_2024I progettisti di tutto il mondo si trovano ad affrontare una sfida continua per gestire la discrepanza tra il ciclo di vita dei loro sistemi e l'obsolescenza dei relativi componenti.
Questa sfida è più che mai evidente in settori come quelli della banda larga mobile, della radiotrasmissione, della radiofonia militare, delle comunicazioni satellitari, del radar, dell'aerospaziale e di alcune applicazioni mediche, in cui ogni componente RF della catena del segnale è un elemento "critico" e spesso di provenienza esclusiva.
Ampleon e Rochester Electronics hanno stretto una partnership unica per offrire ai clienti una fonte affidabile a lungo termine per questi dispositivi RF critici. Siamo consapevoli dell'importanza di una transizione agevole, dopo l'ultimo ordine, verso un partner autorizzato per la produzione a fine vita e siamo qui per sostenerti.

L'inventario di Rochester comprende 325 diversi codici articolo e offre oltre 1,5 milioni di unità di prodotti finiti Ampleon. Disponiamo inoltre di scorte di wafer e die per garantire una produzione continua su licenza. Tutti i nostri prodotti sono autorizzati e garantiti al 100% in conformità con le specifiche originali Ampleon e continueranno a essere disponibili per molti anni.

La tabella che segue illustra come Rochester assicura la produzione ininterrotta dei prodotti Ampleon e supporta le esigenze dei nostri stimati clienti che dispongono di sistemi con ciclo di vita lungo.

Codice articolo di base

DescrizioneDescription

BLF177

Transistor MOS di potenza HF/VHF

BLF278

Transistor VDMOS di potenza push-pull VHF

BLF3G21-30

Transistor LDMOS di potenza UHF

BLF404

Transistor MOS di potenza UHFU

BLF521

BLF521 - Transistor VDMOS di potenza UHFdi potenz

BLL1214

Transistor LDMOS per radar in banda L

CLF1G0035

GaN HEMT di potenza RF a banda larga da 50 W e 200 W

CLF1G0060-10

GaN HEMT di potenza RF a banda larga da 10 W e 30

MX0912B251Y

Transistor di potenza a microonde NPN

ON5040

Transistor di potenza RF

RX1214B300YI

Transistor di potenza a microonde NPN

TM-10

TM-10 - HEMT GaN di potenza RF a banda larga da 10 

I progettisti RF avranno la certezza di poter evitare costose riprogettazioni dovute all'obsolescenza e di poter contare su un progetto per un supporto a lungo termine privo di rischi.Cerca transistor di potenza LDMOS/VDMOS/GaN1 di Ampleon

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